睿达资讯
睿达Agrade
2026-01-04 11:09:33 国产内存条核心工艺解析，长鑫16nm G4工艺为何能跻身顶级梯队
在国产内存条的崛起之路中，工艺制程的突破是关键里程碑。长鑫存储于2025年推出的G4 DRAM工艺，以16.0nm特征尺寸实现了性能与成本的双重突破，让国产DDR5内存成功跻身国际顶级梯队。对于普通用户而言，理解这一工艺的技术价值，能更清晰地认知国产内存条的核心竞争力。
16nm G4工艺的核心优势体现在存储单元的精密设计上。其存储单元面积仅为0.0020μm²，在相同芯片尺寸下可集成更多存储单元，这也是长鑫DDR5新品能实现24Gb单颗粒容量的关键原因。相比早期19nm工艺，16nm制程让内存最高速率从6400Mbps提升至8000Mbps，性能提升25%，完美适配AI运算、高性能计算等高端场景需求。
良率的大幅提升是16nm工艺量产的核心保障。长鑫存储通过工艺优化，将G4工艺良率从初期的50%提升至80%，预计2025年底将达到90%的行业高水平。良率的提升直接降低了单位制造成本，使国产内存条在价格上具备明显优势，也为后续产能扩张奠定了基础。目前长鑫存储产能已突破30万片/月，有效缓解了国产存储芯片的供应压力。
从技术演进角度看，16nm G4工艺是国产DRAM技术的重要跳板。虽然与三星、SK海力士的10nm+工艺仍有1-2代的差距，但这一突破已大幅缩短了技术代差。未来基于G4工艺的技术积累，长鑫存储将进一步推进先进制程研发，并引入TSV、Flip Chip等先进封装技术，持续提升国产内存条的核心竞争力。
