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2026-01-04 11:31:31 DRAM存储单元原理揭秘，国产2T0C架构如何突破传统瓶颈
DRAM(动态随机存取存储器)是内存条的核心组件，其存储单元架构的技术革新直接决定了内存的性能上限。长期以来，全球DRAM市场采用传统1T1C(1晶体管+1电容)架构，而国产研究团队最新研发的2T0C架构，成功突破了传统架构的物理极限，为国产内存条的下一代技术发展奠定了基础。
传统1T1C架构已逼近物理极限。随着制程微缩至10nm以下，存储电容的缩放空间越来越小，出现了漏电率攀升、数据干扰加剧等问题，难以满足AI、超算等场景对高密度、高可靠存储的需求。1T1C架构需要定期刷新数据(通常每50ms一次)，不仅消耗额外功耗，还会影响内存的响应速度。国际巨头虽早有突破1T1C架构的想法，但受限于制造工艺，进展缓慢。
国产2T0C架构通过原创技术实现了关键突破。该架构采用“2晶体管+0电容”的设计，摒弃了传统的电容存储方式，通过晶体管的状态变化实现数据存储。核心创新在于原位金属自氧化工艺的应用，实现了读取与写入晶体管的自对准集成，从根源上解决了传统2T0C架构的制造难题。同时，该架构引入4比特多值存储技术，大幅提升了存储密度。测试数据显示，国产2T0C存储单元写入时间仅50纳秒，数据保持时间超300秒，热稳定性完全达到工业级标准。
2T0C架构的突破对国产DRAM产业意义重大。这一技术填补了国内相关领域的技术空白，使我国在下一代DRAM赛道上与国际巨头站在同一起跑线。未来若实现产业化，将大幅提升国产内存条的存储密度和能效比，降低对海外DRAM技术的依赖。目前该技术已得到国家重点研发计划支持，由产学研协同推进，有望在3-5年内实现商业化应用。
