睿达资讯
睿达Agrade
2026-01-04 11:35:53 国产HBM内存技术前瞻，TSV堆叠如何开启高带宽时代
HBM(高带宽内存)是面向AI、超算等高端场景的下一代内存技术，其采用3D堆叠架构，能实现超高带宽传输，已成为全球存储产业的竞争焦点。长鑫存储已宣布启动HBM3样品研发，计划采用TSV(硅穿孔)堆叠技术，这标志着国产内存条正式向高端HBM领域进军。了解国产HBM的技术发展，能把握国产存储产业的未来方向。
HBM的核心优势在于3D堆叠架构带来的超高带宽。传统内存采用平面封装，数据传输路径较长，带宽受限;而HBM通过TSV技术将多片DRAM芯片垂直堆叠，数据传输路径缩短至纳米级别，同时采用宽位接口设计，大幅提升带宽。根据JEDEC标准，单颗HBM3的带宽可达819GB/s，4颗堆叠后总带宽可超过3200GB/s，远超传统DDR5内存，能完美满足AI模型训练等对带宽需求极高的场景。
TSV技术是HBM实现3D堆叠的核心支撑。TSV技术通过在硅晶圆上蚀刻微小的导电穿孔，实现不同芯片层之间的垂直电连接，相当于为芯片搭建了“立体交通网络”。长鑫存储在TSV技术上已积累了丰富的研发经验，计划采用多晶圆拼接的方式实现更高层数的堆叠。目前国际主流HBM产品的堆叠层数为8-12层，长鑫存储的目标是实现16层以上堆叠，进一步提升存储容量和带宽。
国产HBM的研发具有重要战略意义。当前全球HBM市场被三星、SK海力士垄断，AI加速卡等高端设备的存储供应链存在安全隐患。长鑫存储HBM3样品的即将交付，将打破国际垄断，为国产算力生态筑牢存储根基。预计2027年国产HBM将实现量产，初期主要供应国内数据中心和AI企业，后续将逐步拓展至全球市场。随着HBM技术的成熟，国产内存条将在高端存储领域实现全面突破。
